太陽光発電のパフォーマンス-最適化されたシリコン インゴット

太陽光発電のパフォーマンス-最適化されたシリコン インゴット

パフォーマンス-最適化されたシリコン インゴットは、最先端の N タイプ、TOPCon、HJT テクノロジーで稼働する Tier1 施設向けに設計されています。-局所的な格子ひずみや小さな抵抗率のドリフトが自動化されたセルストリングを妨害する可能性があることを認識し、これらのインゴットは独自の方法を使用して成長します。マルチパラメータの最適化-プロトコル。この高度な方法は、温度勾配、融解回転、ドーパント注入を同期させて、結晶マトリックスが「応力-中性」かつ電気的に「静か」であることを保証します。その結果、優れた性能を発揮する高性能基板が誕生しました。-均一な磁束応答210mm 以上のウェーハ表面全体にわたって、すべての平方センチメートルが最終モジュールのワット数に均等に寄与するようにします。パフォーマンス最適化テクノロジーを選択すると、プロセスの差異による「隠れたコスト」を最小限に抑える、予測可能な高生産量の原料を確保できます。-

キャリア寿命を延ばすバランスのとれた純度:当社のパフォーマンス-最適化技術は、2026- 世代の真空精製を利用して、金属不純物と酸素{3}}炭素錯体を ppb 未満のレベルまで削減します。-この「クリーン-マトリックス」環境は少数キャリアの寿命を最大化し、セルが25%以上の効率ベンチマークに必要な高い開路電圧を達成できるようにします。

高速スライスのための強力な構造的完全性:{0}これらのインゴットは極薄{0}}ダイヤモンド-ワイヤーソーイング用に特に最適化されており、破壊靱性が強化され、残留応力が最小限に抑えられています。この構造の堅牢性により、「ウェーハの反り」が防止され、高速自動処理中にマイクロクラックが発生するリスクが軽減され、施設の正味回収率が保護されます。{{4}

プレミアムビニングのための優れた電気的均一性:世界的な高級市場向けに設計されたこれらのインゴットは、ほぼゼロの半径方向抵抗率分散 (RRD) を備えた均質化されたドーパント プロファイルを提供します。{0}この均一性により、セルが最も厳しい効率ビンに収まり、不整合損失が削減され、電力会社規模の資産所有者向けのモジュールの最終電力定格が向上します。-

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