高精細結晶シリコンインゴット-

高精細結晶シリコンインゴット-

高品位クリスタル シリコン インゴットは、主な指標として「キログラムあたりの収量」を優先する Tier1 施設向けに設計されています。- 「結晶粒-境界ヘイズ」が局所的な応力や微小亀裂の根本原因であることが多いことを認識し、これらのインゴットは独自の方法を使用して成長させられます。ラティス-粒子の明確化プロトコル。この高度な方法では、2026- 世代の電磁溶融安定化を利用して、等方結晶化同期頭頂部から尻尾まで。その結果、完全に均一な原子マトリックスを備えた高忠実度の結晶柱が得られ、-局所的な格子歪みがほぼゼロになります。この「高解像度」構造により、優れた性能が得られます。運動学的なスライスの安定性これにより、ダイヤモンド ワイヤが最小限の摩擦と偏差で移動できるようになり、カーフロスが直接減少し、すべてのウェーハで業界トップの TTV (総厚さの変動) が保証されます。{0}

構造の完全性を実現する非常に明確な粒界:当社の高解像度技術は、2026 年-世代の真空-誘導精錬システムと合成石英システムを利用して、非金属クラスタをパージします。-これにより、粒界が「電気-的に透明」になり、テクスチャリングの強力な化学浴中にマイクロクラックが発生するのを防ぎます。

非常に安定した結晶化と均一な構造:これらのインゴットは、-高速 G12/G12+ スライス向けに特に最適化されています。応力-場の均質化。結晶内の潜在的な張力を中和することで、スライス後も完全に平らな状態を保つ基板を提供し、施設の「正味回収率」を大幅に向上させます。

よりスムーズなスライスとカーフロスの低減:世界的な高級市場向けに設計された高品位クリスタル インゴットは、分子レベルで「スライス潤滑剤」として機能します。{0}優れた構造の均一性により、一貫した切断抵抗が保証され、ワイヤ速度の高速化とワイヤ寿命の延長が可能になり、最終的には高効率セル メーカーの最小生産単位コストを確保できます。-

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