シリコンウェーハの製造

シリコンウェーハの製造工程

当社は、最先端の半導体産業をサポートする高品質のシリコン ウェーハを提供しています。{0}シリコンウエハーの素材には最高レベルの品質の原料を使用しています。徹底した品質管理の下でウェーハを生産し、お客様のあらゆるニーズにお応えする製品を生み出します。

最高級の原材料を使用し、信頼できる品質を実現

単結晶インゴット

当社が提供するシリコン ウェーハは、チョクラルスキー (CZ) 結晶成長プロセスを使用して製造された高純度の単結晶シリコン インゴットから作られています。{0}直径 300 mm までのインゴットは、厳格な品質管理基準の下で製造されます。

お客様のご要望に応じて、溶融シリコンに強力な磁場を印加するマグネティック チョクラルスキー (MCZ) 法や、石英るつぼを使用せずに低酸素レベルで単結晶インゴットを成長させるフロート ゾーン (FZ) 法も使用します。{0}

単結晶インゴットを厚さ約1mmのスライスに切り出し、表面を鏡面に研磨します。その結果、ウェーハは驚くほど平坦できれいになります。 SUMCO はウェハにゲッタリング機能を組み込むこともでき、電気的特性を劣化させる可能性がある重金属不純物を捕捉するのに役立ちます。

研磨されたウェーハは水素またはアルゴン雰囲気中で高温アニールされ、ウェーハ表面近くの酸素が除去されます。得られたウェーハは結晶の完全性が向上しました。

優れた品質のために

研磨されたウェーハの表面層は、気相成長またはエピタキシーを使用して単結晶シリコンから形成されます。

まず、顧客の設計を使用して、フォトリソグラフィー、イオン注入、熱拡散などの技術を利用して、ウェーハ表面に集積回路の埋め込み層を作成します。次に、この層の上にエピタキシャル層が形成される。

優れた電気絶縁特性を持つ酸化物層が研磨された 2 枚のウェーハの間に配置され、その後貼り合わされます。この接合プロセスにより、高集積、低消費電力、高速、優れた信頼性を備えたデバイスの作成が可能になります。また、ウェーハ表面の活性層にヒ素（Ａｓ）やアンチモン（Ｓｂ）の拡散層を形成することもできる。

お客様のご要望に応じて、使用済みウェーハを引き取り、リサイクルして再利用することができます。

ウェーハの種類と仕様