6インチInpウェーハ
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当社の最高級半導体製品、インジウムリン (InP: Fe) ウェハをご紹介します。この製品は、厚さ 680 ±3 ミクロン、片面研磨 (P/P) 表面の SI InP: Fe [100] 6- インチ ウェハです。抵抗率は 0.9E7 ~ 1.6E7 Ω·cm で、SEMI 規格に適合しています。

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製品説明
製品導入

 

当社の最高級半導体製品、インジウムリン (InP: Fe) ウェハーをご紹介します。この製品は、厚さ 680 ±3 ミクロン、片面研磨 (P/P) 表面の SI InP: Fe [100] 6- インチ ウェハーです。抵抗率は 0.9E7 ~ 1.6E7 Ω·cm で、SEMI 規格に適合しています。垂直勾配凍結 (VGF) 法を使用して製造されたこの高品質の結晶構造は、SEMI 規格ノッチからもわかるように、エピタキシャル成長に最適です。
インジウムリンは、高い電子移動度、優れた耐放射線性、効率的な熱伝導性で知られる優れた化合物半導体材料です。これらの特性により、インジウムリンは高周波、高速、高出力のマイクロ波デバイスや集積回路の製造に非常に効果的です。さらに、インジウムリンは、固体照明、マイクロ波通信、光ファイバー通信、太陽電池、民間および軍事用のナビゲーションおよび衛星システムで幅広く使用されています。当社のインジウムリン製品は、最先端の技術アプリケーションに堅牢な基盤を提供し、イノベーションと効率性を高めることに専念しています。

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よくある質問

 

Q: InP は何に使用されますか?

A: リン化インジウムは、高速光ファイバー通信システム、太陽電池、各種レーザーなどの高速電子デバイスや光電子部品の製造に主に使用されています。これらの用途では、InP の高速信号伝送機能と優れた光電変換効率が活用されています。InP は高周波を処理し、電気信号を光信号に (またはその逆) 効率的に変換できるため、通信や再生可能エネルギーの最先端の技術に適した材料となっています。

Q: InP の分子とは何ですか?

A: InP の分子は、インジウム原子 1 個とリン原子 1 個で構成されています。この化合物は高度な結晶対称性を示し、半導体用途における優れた電子的および光学的特性に貢献しています。InP の分子構造により、直接バンドギャップを形成できます。これは、LED やレーザー ダイオードなどの光を発するデバイスに非常に有益であり、高効率と高速動作機能を提供します。

 

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