SiCウェハーメーカー：世界のサプライヤーリストと選び方
Jul 14, 2026
炭化ケイ素 (SiC) 基板を製造している企業は、米国、欧州、日本、中国のかなり限られた企業です。有名なサプライヤーには、Wolfspeed、Coherent (旧 II-VI)、SiCrystal (ROHM グループ)、Resonac、SICC、TankeBlue などがあります。一部の大手チップメーカーは主に自社デバイス用に SiC を成長させており、公開市場ではほとんど販売していません。
このページは、SiC ウエハーも販売している Zhonggui Semiconductor によって公開されています。以下のリストはアルファベット順であり、ランキングではありません。
SiCデバイスメーカーとSiCウェーハメーカーは異なります
多くの「トップ SiC」リストには 2 つのグループが混在しています。 Infineon、東芝、Nexperia などの企業は SiC MOSFET やダイオードを販売していますが、そこからベア SiC ウェーハを購入するという選択肢はありません。以下の表は、SiC 結晶の成長と基板の販売または製造を行う企業をまとめています。 Onsemi や STMicroelectronics などのいくつかの企業は、自社の基板出力のほとんどを使用するデバイス メーカーでもあります。
パワーデバイスの直径は 150 mm (6 インチ) から 200 mm (8 インチ) に移行しています。 100 mm (4 インチ) は、研究や半絶縁 RF 基板として今でも広く使用されています。
SiCウェーハメーカーの概要
| 会社 | 本部 | 注意事項（公知のもの） |
|---|---|---|
| Coherent Corp. (旧 II-VI、2022 年に社名変更) | 米国ペンシルベニア州サクソンバーグ | 直径最大 200 mm (150 mm および 200 mm を含む) の導電性 (n 型 4H) および半絶縁性 SiC 基板 |
| 呼吸 | 米国アリゾナ州スコッツデール | 2021年にGT Advanced Technologiesを買収後、主に自社のパワーデバイス向けにSiCブールを成長 |
| レゾナック（旧昭和電工、2023年社名変更） | 東京、日本 | パワーデバイス用のSiCエピタキシャルウエハで最もよく知られており、SiC単結晶基板上に成長させたウエハも製造している。 |
| 株式会社SICC | 中国山東省済南市 | 導電性および半絶縁性のSiC基板。 150 mm および 200 mm の導電性基板 |
| SiCrystal GmbH（ロームグループ） | ニュルンベルク、ドイツ | ローム傘下のSiC基板メーカー。 STマイクロエレクトロニクスとの長期契約に基づき、ロームおよび外部の顧客に150mmウェハを供給 |
| STマイクロエレクトロニクス | ジュネーブ、スイス | スウェーデンのノルショーピング（旧ノルシュテル、2019年買収）とイタリアのカターニアで主に自社デバイス向けにSiC基板の開発と生産を行う |
| シンクブルー | 中国、北京 | 100、150、200 mm の導電性 SiC 基板。 100 および 150 mm の半絶縁 |
| Wolfspeed (旧 Cree、2021 年に改名) | 米国ノースカロライナ州ダーラム | 150 mm および 200 mm の 4H n 型 SiC 基板と SiC エピタキシャル ウェーハ。 2025年9月に第11章の財務再編を完了し、引き続き運営 |
| Zhonggui Semiconductor (このページの発行者) | 中国江蘇省揚州市 | 4H および 6H SiC ウェーハ。以下を参照してください |
2026 年 10 月現在の情報。製品ライン、直径、所有権は変更されるため、注文する前に現在の詳細を各サプライヤーに確認してください。
SiCウェーハサプライヤーの選び方
SiC の見積もりは、その背後にある仕様が完全である場合にのみ比較可能です。まずこれらの点を修正してください。
仕様チェックリスト
- ポリタイプ。4H-SiCはパワーデバイスの規格です。 6H-SiC は主に研究と一部の古いオプトエレクトロニクス研究で使用されます。に関するメモを参照してください4H-SiCウェーハ。
- 導電性とドーパント。パワーデバイス用の N タイプ (窒素ドープ)。 GaN-on-SiC RF 用の半絶縁性 (バナジウムドープまたは高純度)。必要な抵抗率の範囲を指定します。
- 学年。生産グレード、研究グレード、ダミーグレードは欠陥の限度と価格が異なります。グレード名は統一されていないため、後ろの数字を比較してください。
- 欠陥仕様。マイクロパイプ密度 (MPD) が主要な数値です。パワーデバイスの場合は、基底面転位、ねじ状転位、使用可能面積などもご相談ください。
- 方向とオフカット。エピタキシー用の導電性 4H 基板は通常、<11-20> に向かって 4° 軸外されています。半絶縁性ウェーハはオンアクシスであることがよくあります。状態角度と公差。
- 直径、厚さ、平面度。100、150、または200 mm。厚さの許容差。 TTV、弓とワープ。
- 表面仕上げ。どの面が研磨されるか (Si 面または C 面)、CMP エピ対応かどうか、および粗さの仕様。
- MOQとリードタイム。大手サプライヤーは、長期顧客に 150 mm および 200 mm の容量を割り当てることがよくあります。在庫があるか聞いてください。
- ドキュメント。抵抗率、MPD、平坦度に関するウェーハごとのデータと適合証明書。
サプライヤーに尋ねるべき質問
- ブールを自分で栽培しますか、それとも他の場所で栽培されたウエハースを加工しますか?
- 引用しているグレードにはどのような MPD およびその他の欠陥制限が適用されますか?
- ウェーハごとのサンプルレポートと欠陥マップを見ることはできますか?
- 在庫ウェーハ、およびカスタム厚さまたはオフカットのリードタイムはどれくらいですか?
- 最低注文金額はいくらですか? ウエハース単体またはダイスカットで販売していますか?
- ウェーハは輸送のためにどのように梱包されますか?
Zhongui Semiconductor が適した分野
Zhonggui Semiconductor は 2009 年に中国江蘇省揚州市で設立され、ISO 9001 認証を取得しています。スライス、研削、面取り、CMP研磨を社内で行い、クラス100のクリーンルームで最終加工を行っております。当社の材料全体の合計生産量は月あたり約 10,000 枚のウェーハです。
SiC については、4H および 6H ウェーハを供給しています。そのため、少量またはカスタム仕様を必要とする研究室、大学、中小企業にとって、当社は実用的な選択肢となります。生産ラインに大量供給が必要な場合は、上記の表にある大手サプライヤーにも問い合わせて、見積もりを比較してください。注文はFedExで発送されます。
私たちのを参照してくださいSiCウェハのラインナップそして4H-SiCウェハ仕様、 または仕様をお送りください見積もりのために。弊社でも供給しておりますInPウェーハ。
よくある質問
SiCウェーハを製造している企業はどこですか?
Wolfspeed、Coherent、SiCrystal (ROHM グループ)、Resonac、SICC、TankeBlue などが最もよく知られています。 onsemi と STMicroelectronics も、主に自社のデバイス向けに SiC を成長させています。
4H と 6H SiC のどちらが優れていますか?
用途によります。 4H-SiC は電子移動度が高く、パワー MOSFET およびダイオードの標準です。 6H-SiC は主に研究および一部の従来のアプリケーションで使用されます。
マイクロパイプの密度とは何ですか?
マイクロパイプは結晶を貫通する中空の螺旋転位であり、デバイスを破壊する可能性があります。マイクロパイプの密度は cm2 ごとに計算され、値が低いほど使用可能なダイの割合が高いことを意味します。
なぜSiCウェーハはシリコンウェーハよりもはるかに高価なのでしょうか?
SiC 結晶は非常に高温でゆっくりと成長するため、スライスや研磨が難しい素材です。特に直径が大きい場合、収率はシリコンよりも低くなります。