シリコンウェーハプラットフォーム

シリコンウェーハプラットフォーム

これらのシリコン ウェーハ プラットフォームは、全体にわたって非常に信頼性の高い処理面を提供するように細心の注意を払って設計されています。2インチ～12インチ (50mm - 300mm)直径スペクトル。原子レベルの表面精度で設計されたこれらの基板は、最も要求の厳しい用途向けの高忠実度の基盤として機能します。-フォトリソグラフィー、ドライ エッチング、薄膜堆積-シーケンス。

差別化された技術的利点:

構造の均一性:最適化された材料特性格子間酸素 (Oi) と炭素含有量コントロール。この内部バランスは、揮発性の高真空アニーリングおよび急速熱処理 (RTP) 中の格子スリップや熱析出を防止することで均一な製造条件をサポートします。-

熱機械的復元力:激しい熱的および機械的負荷の下でも安定した特性を維持するように設計されたこの材料は、再現性のある結果を保証します。パワー IC (IGBT/MOSFET) および RF-IC生産。この安定性は、次のことを達成するために非常に重要です。サブ-ミクロンの総厚さ変動（TTV）自動化された 300mm 鋳造ラインでの焦点ドリフトを最小限に抑えます。

工業用-グレードの信頼性:世界的な Tier1 技術品質基準を満たし、それを超えるように設計されており、きれいな表面仕上げ（オングストローム レベルの粗さ）により、一貫したプロセス結果が保証され、生産性の向上に直接相関します。ウェーハ-レベルの歩留まりとデバイスの信頼性.

アプリケーションの多様性:これらの基板は、特殊な研究開発のプロトタイピングや大量の工業規模の製造に利用される場合でも、信頼性の高い半導体-専用の材料ソリューションを提供します。正確な結晶方位とドーパントの均一性は、最も感度の高いもののために最適化されています。MEMS、ロジック、パワー半導体アプリケーション。

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