シリコンプロセスベース
このシリコン プロセス ベースは、安定した製造プラットフォーム高度な電子デバイスの統合に向けて。からの全範囲をサポート2 インチ (50mm) ～ 12 インチ (300mm)これらのベースは、最も負荷の高い環境にも耐えられる高忠実度のインターフェースを提供するように設計されています。-熱的および機械的ステップ構造的または電気的な完全性を損なうことなく。
妥協のない構造的完全性:ベースは次のように設計されています製造中に完全性を維持する高温拡散や急速熱処理（RTP）中であっても、微小な反りや格子滑りに耐えます。{{0}{1}{1}}この構造の復元力により、多層の位置合わせが正確に維持されます。これは、高密度ロジックとパワーIC(IGBT/MOSFET)建築。
プロセスの変動を最小限に抑える:信頼性の高い材料挙動は、高歩留まり製造の基礎です。-非常に均一な半径方向抵抗率プロファイルを維持し、格子間不純物を最小限に抑えることで、当社のプロセスベースは予期せぬ変動を減らすエッチング速度と薄膜堆積において。{0}}この一貫性により、さまざまな生産バッチにわたって、より予測可能なプロセス ウィンドウが可能になります。
複雑なルートとの互換性:に合わせて調整複雑な処理ルート、ベースは最新の自動化されたファウンドリ内でシームレスに機能します。その優れた表面形態とエッジ プロファイリングは、化学機械平坦化 (CMP) およびイオン注入中の長期安定性をサポートします。-
