シリコンデバイス基板

シリコンデバイス基板

このシリコン デバイス基板シリーズは、{0}}精密なデバイス形成。あらゆる産業分野をサポート2 インチ (50mm) ～ 12 インチ (300mm)これらの基板は、サブミクロンのリソグラフィーや高度なイオン注入のための元のホストとして機能するように設計されており、すべてのアーキテクチャ層が絶対的な精度で位置合わせされることが保証されます。{0}

安定したキャリアダイナミクス:素材は提供するために最適化されています安定した電気的動作これにより、大規模な生産実行全体にわたるデバイスの一貫性が大幅に向上します。格子間酸素と放射状ドーパントの均一性を厳密に制御することで、基板は寄生容量と漏れを最小限に抑え、高忠実度の信号整合性を確保します。-アナログ IC および RF-ICアプリケーション。

管理された環境の信頼性:特別に設計された制御された環境で確実に動作する、基板は、最新の CMOS および BCD プロセスの激しい熱バジェットの下でもその熱機械的回復力を維持します。この構造の安定性により、格子の滑りや反りが防止され、ラピッド サーマル アニーリング (RTA) 中のプロセス ウィンドウの拡大が可能になります。

シームレスなファブリケーターの統合:これらの基板標準的な製造フローにスムーズに統合最適化されたエッジ プロファイリングと、高速自動処理との互換性を実現するサブ-の全厚さ変動（TTV）を備えています。-この多用途性により、さまざまな電子機器に適しています特殊な MEMS センサーから高密度パワー MOSFET まで、-自動車や産業グレードの分野で長期的な信頼性を確保します。{{3}

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