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300mmシリコンウェーハ

当社の 300mm シリコンウェーハは、現代の半導体産業の厳しい要求を超えるように設計されています。直径、厚さ、その他の重要な仕様について幅広いカスタマイズオプションを提供するこれらのウェーハは、各顧客の特定の要件に合わせて細心の注意を払って設計され、優れた精度と信頼性を提供します。

直径	12インチ
品質グレード	プライム/テスト/ダミー
成長テクニック	CZ(チョクラルスキー) / FZ(フロートゾーン)
結晶方位	<100>, <111>, <110>, <511>, <311>
ドーパントの種類	P型（ホウ素）、N型（リン、ヒ素、アンチモン）
利用可能な厚さ	775 μm、925 μm、さらなるカスタマイズも可能
厚さの許容差	標準±25μm、 ±5μmまでの精度能力
抵抗率範囲	0.001 ～ 100 オームセンチメートル
表面仕上げ	P/E (研磨/エッチング)、P/P (研磨/研磨)、E/E (エッチング/エッチング)、G/G (研磨/研磨)
総厚さの変動 (TTV)	標準 < 10 μm;強化 < 5 μm
弓/ワープ	標準 < 40 μm;強化 < 20 μm