110 シリコンウェーハ
私たちの<110>シリコンウェーハは、高度に特殊化された半導体アプリケーションの厳しい要件を満たすように作られています。<110>結晶配向は特に有益です。相対的に希少性が高いため、<110>市場のシリコンウェーハに合わせて、高度な技術アプリケーションの特定のニーズを満たすカスタム製造サービスを提供します。これらのウェーハは、ニッチ市場で高い精度とパフォーマンスを求めるお客様に最適です。
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製品説明
製品概要
私たちの<110>シリコンウェーハは、高度に特殊化された半導体アプリケーションの厳しい要件を満たすように作られています。<110>結晶配向は特に有益です。相対的に希少性が高いため、<110>市場のシリコンウェーハに合わせて、高度な技術アプリケーションの特定のニーズを満たすカスタム製造サービスを提供します。これらのウェーハは、ニッチ市場で高い精度とパフォーマンスを求めるお客様に最適です。
主な特長
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結晶方位 |
<110>(あまり一般的ではない、高度に専門化された方向性) |
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利用可能な直径 |
2 インチ、3 インチ、4 インチ、5 インチ、6 インチ、8 インチ、12 インチ (在庫に限りがあるためカスタム サイズも利用可能) |
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品質グレード |
プライム/テスト/ダミー |
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成長方法 |
CZ(チョクラルスキー) / FZ(フロートゾーン) |
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ドーパントの種類 |
P型（ホウ素）、N型（リン、ヒ素、アンチモン） |
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厚さのオプション |
275 μm、380 μm、525 μm、625 μm、775 μm、925 μm、ご要望に応じてさらなるカスタマイズも可能 |
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厚さの許容差 |
標準±25μm、高精度±5μm |
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抵抗率範囲 |
0.001 ～ 100 オームセンチメートル |
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表面仕上げ |
P/E (研磨/エッチング)、P/P (研磨/研磨)、E/E (エッチング/エッチング)、G/G (研磨/研磨) |
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総厚さの変動 (TTV) |
標準 < 10 μm;アドバンス < 5 μm |
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弓/ワープ |
標準 < 40 μm;アドバンス < 20 μm |
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