超高純度半導体シリコン結晶インゴット-

超高純度半導体シリコン結晶インゴット-

当社の超高純度半導体シリコン結晶インゴットは、高度なチョクラルスキー成長法と高真空脱ガスおよびプラズマ精製を組み合わせて使用​​されています。-金属不純物が-ppb未満のレベルまで削減され、下流の拡散を最適化するために調整された酸素制御により、このインゴットは優れた構造的完全性と電気的一貫性を示します。最先端の半導体プラットフォームをサポートするように設計されており、最小の抵抗率ドリフト、信頼性の高いキャリア寿命、ウェーハ歩留まりの向上を保証します。-この材料は、ロジック IC、IGBT、パワー MOSFET、メモリ チップ、RF モジュール、シリコン-ベースのフォトニクス開発で広く使用されています。 200mm/300mm ウェーハ生産ラインと新たな大口径極薄ウェーハ処理との互換性により、製造工場は生産量と長期信頼性を向上させながら、デバイスあたりのコストを削減できます。{13}{14}{15}}高周波通信、AI コンピューティング チップ、次世代自動車エレクトロニクス-に最適です。

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